NAND TD, RDA 资深/首席工程师

职位简介

负责 NAND 技术开发的厂区级实时缺陷分析 (RDA) 策略和年度路线图。主导实验和生产流程分析,以检测、分类和追踪系统性和随机性缺陷。开发检测配方和抽样策略,平衡灵敏度、产能和拥有成本。主导缺陷异常快速围堵,包括机台隔离、扣留标准和 8D 纠正措施。与工艺整合、良率、数据科学和设备供应商合作,加强工艺监控,并使检测能力与未来 NAND 节点保持一致。指导工程师并在全球厂区分享最佳已知方法。

职位要求

• 学士学位并至少 7 年,或硕士/博士学位并至少 5 年相关半导体工程经验
• 至少 3 年半导体制造或设备工程中实时缺陷分析实操经验
• 具备缺陷检测、工艺监控和良率学习经验
• 精通 RDA 系统和工作流程,包括缺陷检测、分类、趋势分析和监控
• 具备光学和电子束检测技术、检测配方开发和抽样优化经验
• 强大的统计数据分析和大数据集解读能力