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薪资
公司未注明
地点
Fab 10N/X, Singapore
工作时间
领导下一代 NAND 研发的干法刻蚀工艺开发。开发并创新干法刻蚀工艺,以满足结构和电气规格,并管理干法刻蚀腔室以实现项目与良率目标。与硬件团队合作制定设备路线图,并与工艺整合及其他模块领域(如湿法刻蚀、CVD、扩散、金属、光刻和 CMP)协作。指导经验较少的工程师,展示技术路线图,并向高层管理层提供项目进展汇报。将 AI 辅助工具融入日常工作,并在你的职责范围内为持续改进做出贡献。
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