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薪资
公司未注明
地点
Fab 10N/X, Singapore
工作时间
您将开发并优化先进薄膜沉积工艺,例如 ALD、LPCVD、PECVD 和 PVD,用于下一代存储技术。您将设计并运行复杂的 DOE 实验,以提高工艺能力、均匀性和可靠性,并使用建模和表征技术进行根本原因分析。您将与集成、量测和设备工程团队合作,解决关键技术挑战。您还将制定技术路线图,领导战略研究计划,创造知识产权,并指导初级工程师。
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