工艺 / 高级工艺工程师 - SiC 外延, (APM), IME

您将做什么

• 在工业热壁 CVD 系统上设计和实施 SiC 外延工艺,目标是在 6 英寸和 8 英寸 SiC 衬底上实现掺杂和厚度均匀性以及低扩展缺陷密度。
• 对 SiC 外延层进行量测和表征,包括掺杂和厚度均匀性、表面粗糙度、晶体质量、应力和载流子寿命。
• 对扩展缺陷进行光学和光致发光检测,如微管、胡萝卜缺陷、三角形缺陷、坠落缺陷、堆垛层错和基面位错。
• 设计实验以降低 SiC 中的点缺陷和扩展缺陷密度,并提高 SiC 功率器件性能。
• 为尖端器件开发先进外延工艺,包括 SiC 选择性外延和 SiC 沟槽填充外延。
• 为内部会议、会议和期刊准备技术演示和论文,并起草技术披露/知识产权。
• 与 IME 的 NSTIC – Power 团队合作,解决 SiC 电力电子行业的关键技术挑战。
• 为新资金提案贡献创意。
• 执行分配的其他合理职责。

须知